離子束刻蝕機6英寸離子束刻蝕 IBE-150, IBE-200北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉

離子束刻蝕機4英寸離子束刻蝕 IBE-150, IBE-200北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉

離子束鍍膜機6英寸真空鍍膜機離子束濺射-IBSD， 6英寸北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束

離子束鍍膜機4英寸真空鍍膜機離子束濺射-IBSD， 4英寸北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍

離子束鍍膜機|離子束鍍膜機公司離子束鍍膜機|離子束鍍膜機公司北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積

離子束刻蝕機|離子束刻蝕機供應(yīng)商離子束刻蝕機|離子束刻蝕機供應(yīng)商北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射

離子束刻蝕系統(tǒng)北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

等離子體刻蝕設(shè)備北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±

離子束刻蝕機北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

離子束刻蝕設(shè)備北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

考夫曼離子源北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

離子束鍍膜系統(tǒng)北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

非硅微納制造北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

傳感器逆向分析北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

柔性材料鍍金屬膜北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±

光學(xué)材料鍍膜北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

真空濺射鍍膜北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

磁控濺射鍍膜北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

柔性材料鍍膜北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

離子束濺射沉積北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

離子刻蝕技術(shù)北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

氬離子刻蝕技術(shù)北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

離子束拋光機北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

新材料傳感器北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

離子束鍍膜設(shè)備北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

高精度薄膜電阻北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

叉指換能器廠家北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

聲表面波器件北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%

薄膜壓力傳感器北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3

離子束鍍膜機北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所股份有限公司原名為北京埃德萬斯離子束技術(shù)研究所，成立于2001年，自主獨立設(shè)計了離子束刻蝕設(shè)備和雙離子束濺射沉積鍍膜設(shè)備，其自主設(shè)計的考夫曼離子源穩(wěn)定性≤±3%